BCR35PNH6327XTSA1规格参数_BCR35PNH6327XTSA1全国代理商/分销商

型号: BCR35PNH6327XTSA1
功能描述: BCR35PN Series NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array - SOT-363-6
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电阻器-基底（R1）（欧姆）： 10k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）： 47k
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 70 @ 5mA，5V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 300mV @ 500µA，10mA
频率-跃迁： 150MHz
功率-最大值： 250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳： SOT363
封装形式Package： SOT-363
极性Polarity： NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic： 100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO： 50V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）： 10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）： 47 千欧
供应商器件封装： PG-SOT363-6
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs