型号: BD435G
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 22V
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-225-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 32 V
集电极—基极电压 VCBO: 32 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 500 mV
最大直流电集电极电流: 4 A
增益带宽产品fT: 3 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BD435
高度: 11.04 mm (Max)
长度: 7.74 mm (Max)
封装: Bulk
宽度: 2.66 mm (Max)
商标: ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40
Pd-功率耗散: 36000 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
单位重量: 2 g
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Q Q:
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