型号:  BF 998 E6327

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  30 mA

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-143

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single Dual Gate

高度:  1 mm

长度:  2.9 mm

系列:  BF998

类型:  RF Small Signal MOSFET

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

通道模式:  Enhancement

Pd-功率耗散:  200 mW

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V to 12 V

零件号别名:  BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978

单位重量:  10 mg