型号: BF1005SR
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 25 mA
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 3 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143-4
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 0.03 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
类型: RF Small Signal MOSFET
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：於金金
电话：13713999519
Q Q:
联系人：郭学刚
电话：13691546150
Q Q:
联系人：滕
电话：18566660637
Q Q:
