型号: BF1206F
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 0.03 A
Vds-漏源极击穿电压: 6 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 6 V
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: SS-Mini-6
商标: NXP Semiconductors
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 180 mW
类型: RF Small Signal MOSFET
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