型号: BF961B
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-Ch Dual Gate MOSFET, TO-50
制造商: Vishay Semiconductors
制造商: Vishay
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 0.03 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 14 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-50
封装: Reel
商标: Vishay Semiconductors
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
类型: RF Small Signal MOSFET
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：曾凯
电话：13312958426
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：张浩
电话：0795-6666820
Q Q:
联系人：赵友涛
电话：18915486513
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
