型号: BF961B
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-Ch Dual Gate MOSFET, TO-50
制造商: Vishay Semiconductors
制造商: Vishay
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 0.03 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 14 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-50
封装: Reel
商标: Vishay Semiconductors
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
类型: RF Small Signal MOSFET
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：赵晶
电话：13652365007
Q Q:
联系人：朱伟华
电话：18688029520
Q Q:
联系人：吴小姐
Q Q:
