型号:  BF998WR.115

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R

制造商:  nxp semiconductors

标准包装：  3,000

晶体管类型：  N-Channel Dual Gate

频率 ：  200MHz

增益 ：  -

电压 - Test：  8V

当前 Rating：  30mA

噪声系数 ：  0.6dB

当前 - Test：  10mA

Power - 输出功率 ：  -

电压 - 额定：  12V

包/盒 ：  SC-82A, SOT-343

供应商器件封装：  CMPAK-4

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  RF MOSFETs###/catalog/en/partgroup/rf-mosfets/17269?mpart=BF998WR,115&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  4CMPAK

通道模式：  Depletion

最大漏源电压：  12 V

最大连续漏极电流：  0.03 A

最大门源电压：  6 V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

晶体管类型：  N-Channel Dual Gate

电压 - 额定：  12V

噪声系数：  0.6dB

供应商设备封装：  CMPAK-4

电压 - 测试：  8V

封装：  Tape & Reel (TR)

频率：  200MHz

封装/外壳：  SC-82A, SOT-343

电流 - 测试：  10mA

额定电流：  30mA

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6182-1

类别：  RF MOSFET

渠道类型：  N

配置：  Dual Gate, Single

外形尺寸：  2.2 x 1.35 x 1mm

身高：  1mm

长度：  2.2mm

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  0.3 W

最低工作温度：  -65 °C

安装类型：  Surface Mount

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  CMPAK

引脚数：  4

典型输入电容@ VDS：  1.2 pF @ 8 V (Gate 2), 2.1 pF @ 8 V (Gate 1)

宽度：  1.35mm

工厂包装数量：  3000

产品种类：  Transistors RF MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  6 V

连续漏极电流：  30 mA

安装风格：  SMD/SMT

功率耗散：  300 mW

零件号别名：  BF998WR T/R

漏源击穿电压：  12 V

RoHS：  RoHS Compliant