型号:  BFG198.115

功能描述:   Trans GP BJT NPN 10V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

晶体管类型：  NPN

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  10V

频率转换：  8GHz

噪声系数（dB的典型@ F）：  -

增益 ：  -

功率 - 最大：  1W

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  40 @ 50mA, 5V

- 集电极电流（Ic）（最大）：  100mA

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：  SC-73

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-223

类型：  NPN

引脚数：  4

最大集电极发射极电压：  10 V

集电极最大直流电流：  0.1 A

最小直流电流增益：  40@50mA@5V

最大工作频率：  8000(Typ) MHz

最大集电极基极电压：  20 V

工作温度：  -65 to 175 °C

最大功率耗散：  1000 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  0.1

Maximum Transition Frequency ：  8000(Typ)

包装宽度：  3.7(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1000

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  20

最低工作温度：  -65

供应商封装形式：  SC-73

标准包装名称：  SOT-223

最高工作温度：  175

包装长度：  6.7(Max)

最大集电极发射极电压：  10

包装高度：  1.7(Max)

最大基地发射极电压：  2.5

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  8GHz

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  10V

供应商设备封装：  SC-73

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  40 @ 50mA, 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-8478-1

类别：  Bipolar RF

配置：  Single Dual Emitter

外形尺寸：  1.7 x 6.7 x 3.7mm

身高：  1.7mm

长度：  6.7mm

最大基地发射极电压：  2.5 V

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -65 °C

包装类型：  SC-73

宽度：  3.7mm

工厂包装数量：  1000

产品种类：  Transistors RF Bipolar

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  2.5 V

安装风格：  SMD/SMT

功率耗散：  1000 mW

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  10 V

零件号别名：  BFG198 T/R

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  0.1 A

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :10V

Transition Frequency ft：  :8GHz

功耗：  :1W

DC Collector Current：  :100mA

DC Current Gain hFE：  :90

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-223

No. of Pins：  :3

MSL：  :-

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Ic Continuous a Max：  :50mA

Gain Bandwidth ft Typ：  :8GHz

Hfe Min：  :40

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

端接类型：  :SMD