型号:  BFG325W/XR,115

功能描述:  NXP BFG325W/XR,115 , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=6 V, HFE:60, 14000 MHz, 4引脚 CMPAK封装

制造商:  NXP Semiconductors

晶体管类型：  NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：  6V

频率 - 跃迁：  14GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  1.1dB @ 2GHz

增益：  18.3dB

功率 - 最大值：  210mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  60 @ 15mA，3V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  35mA

工作温度：  175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-82A，SOT-343

供应商器件封装：  CMPAK-4

最大直流集电极电流：  35 mA

最大集电极-发射极电压：  6 V

封装类型：  CMPAK

最大功率耗散：  210 mW

最小直流电流增益：  60

晶体管配置：  单

最大集电极-基极电压：  15 V

最大发射极-基极电压：  2 V

最大工作频率：  14000 MHz

引脚数目：  4

每片芯片元件数目：  1

长度：  2.2mm

最高工作温度：  +175 °C

高度：  1mm

宽度：  1.35mm

尺寸：  1 x 2.2 x 1.35mm

最低工作温度：  -65 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs