型号: BFG425W,135
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
晶体管类型： NPN
电压-集射极击穿（最大值）： 4.5V
频率-跃迁： 25GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）： 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
增益： 20dB
功率-最大值： 135mW
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 50 @ 25mA，2V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 30mA
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： CMPAK-4
电压 - 集射极击穿（最大值）： 4.5V
频率 - 跃迁： 25GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
功率 - 最大值： 135mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 50 @ 25mA，2V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 30mA
封装/外壳： SC-82A，SOT-343
供应商器件封装： CMPAK-4
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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