型号: BFP 640FESD E6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： RF 晶体管（BJT）
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 4.7V
频率 - 跃迁： 46GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益： 8B ~ 30.5dB
功率 - 最大值： 200mW
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 110 @ 30mA，3V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 50mA
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 4-SMD，扁平引线
供应商器件封装： 4-TSFP
其它名称： BFP 640FESD E6327TRSP000607096
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