型号: BFP 650 H6327
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: BFP650
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO: 4 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.2 V
集电极连续电流: 150 mA
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 37 GHz
类型: RF Silicon Germanium
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: BFP650H6327XTSA1 BFP65H6327XT SP000750406
单位重量: 31 mg
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