型号: BFP 720FESD H6327
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: BFP720
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO: 4.2 V
集电极连续电流: 30 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSFP-4-1
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极—基极电压 VCBO: 4.9 V
直流电流增益 hFE 最大值: 400
工作频率: 43 GHz
类型: RF Silicon Germanium
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 100 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: BFP720FESDH6327XTSA1 BFP72FESDH6327XT SP000853562
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