型号:  BFP 740F H6327

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

系列:  BFP740

晶体管类型:  Bipolar

技术:  SiGe

集电极—发射极最大电压 VCEO:  4 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  1.2 V

集电极连续电流:  30 mA

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSFP-4

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  13 V

直流电流增益 hFE 最大值:  400

高度:  0.55 mm

长度:  1.4 mm

工作频率:  42 GHz

类型:  RF Silicon Germanium

宽度:  0.8 mm

商标:  Infineon Technologies

Pd-功率耗散:  160 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  BFP740FH6327XTSA1 BFP74FH6327XT SP000750416

单位重量:  1.870 mg