型号: BFP 840FESD H6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BFP840FESD
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： RF 晶体管（BJT）
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 2.6V
频率 - 跃迁： 85GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 0.75dB @ 5.5GHz
增益： 35dB
功率 - 最大值： 75mW
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 150 @ 10mA，1.8V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 35mA
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-82A，SOT-343
供应商器件封装： 4-TSFP
其它名称： BFP 840FESD H6327TRBFP840FESDH6327BFP840FESDH6327XTSA1SP000977846
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