型号:  BFP196WH6327XTSA1

功能描述:  Infineon BFP196WH6327XTSA1 NPN 晶体管, 150 mA, Vce=12 V, HFE:70, 7.5 GHz, 4引脚 SOT-343封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：  12V

频率 - 跃迁：  7.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益：  12.5dB ~ 19dB

功率 - 最大值：  700mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  70 @ 50mA，8V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  150mA

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT343

供应商器件封装：  PG-SOT343-4

最大直流集电极电流：  150 mA

最大集电极-发射极电压：  12 V

封装类型：  SOT-343

最大功率耗散：  700 mW

最小直流电流增益：  70

晶体管配置：  单

最大集电极-基极电压：  20 V

最大发射极-基极电压：  2 V

最大工作频率：  7500 MHz

引脚数目：  4

每片芯片元件数目：  1

高度：  0.9mm

尺寸：  0.9 x 2 x 1.25mm

宽度：  1.25mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +150 °C

长度：  2mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs