型号: BFP640ESDH6327XTSA1
功能描述: BFP640ESD Series 4.7 V Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型： NPN
电压-集射极击穿（最大值）： 4.7V
频率-跃迁： 46GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）： 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益： 7dB ~ 30dB
功率-最大值： 200mW
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 110 @ 30mA，3V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 50mA
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT343
供应商器件封装： SOT-343
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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