型号: BFP650H6327
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO: 4 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.2 V
集电极连续电流: 150 mA
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
封装: Reel
工作频率: 37 GHz
Pd-功率耗散: 500 mW
系列: BFP650
工厂包装数量: 3000
零件号别名: BFP650H6327XT BFP650H6327XTSA1 SP000750406
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