型号: BFQ19,115
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
晶体管类型: NPN
电压-集射极击穿(最大值): 15V
频率-跃迁: 5.5GHz
噪声系数(dB,不同f时的典型值): 3.3dB @ 500MHz
功率-最大值: 1W
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 25 @ 70mA,10V
电流-集电极(Ic)(最大值): 100mA
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-89-3
电压 - 集射极击穿(最大值): 15V
频率 - 跃迁: 5.5GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 3.3dB @ 500MHz
功率 - 最大值: 1W
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 25 @ 70mA,10V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: SOT-89-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
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