型号:  BFR 35AP E6327

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

系列:  BFR35

晶体管类型:  Bipolar

技术:  Si

晶体管极性:  NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:  15 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  2.5 V

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  20 V

直流电流增益 hFE 最大值:  70 at 15 mA at 8 V

高度:  1 mm

长度:  2.9 mm

工作频率:  5000 MHz

类型:  RF Bipolar Small Signal

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

最大直流电集电极电流:  0.045 A

Pd-功率耗散:  280 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327XT SP000011060

单位重量:  8 mg