型号: BFR193E6327
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70
集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V
集电极连续电流: 0.08 A
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
最大直流电集电极电流: 0.08 A
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 8000 MHz
Pd-功率耗散: 580 mW
系列: BFR193
工厂包装数量: 3000
零件号别名: BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056
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