型号: BFR193WE6327
功能描述: HIGH LINEARITY TRANSISTOR
制造商: Infineon Technologies
Series: -
Package: Bulk
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
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