型号: BFR750L3RHE6327XTSA1
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: BFR750L3RH
标准包装: 15,000
类别: 分立半导体产品
家庭: RF 晶体管(BJT)
系列: -
包装: 带卷(TR)
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 4.7V
频率 - 跃迁: 37GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益: 21dB
功率 - 最大值: 360mW
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 160 @ 60mA,3V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 90mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-101,SOT-883
供应商器件封装: PG-TSLP-3
其它名称: BFR 750L3RH E6327BFR750L3RHE6327INTRBFR750L3RHE6327INTR-NDBFR750L3RHE6327XTBFR750L3RHE6327XTSA1TRSP000252588
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