型号: BFU660F,115
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 90
集电极—发射极最大电压 VCEO: 5.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2.5 V
集电极连续电流: 30 mA
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343F
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
类型: RF Bipolar Small Signal
商标: NXP Semiconductors
增益带宽产品fT: 21 GHz
Pd-功率耗散: 225 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: 934064611115
单位重量: 6.665 mg
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