型号: BFU668F,115
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN wideband silicon RF transistor
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343F-4
晶体管极性: NPN
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 5.5 V
集电极—基极电压 VCBO: 16 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2.5 V
增益带宽产品fT: 20 GHz
最大工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 最大值: 200
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
集电极连续电流: 40 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min: 90
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: 934065992115
单位重量: 7 mg
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