型号:  BFU730F,115

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS

制造商:  NXP Semiconductors

制造商:  NXP

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

晶体管类型:  Bipolar

技术:  SiGe

直流集电极/Base Gain hfe Min:  205

集电极—发射极最大电压 VCEO:  2.8 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  1 V

集电极连续电流:  5 mA

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT343F-4

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  10 V

直流电流增益 hFE 最大值:  555

高度:  0.75 mm

长度:  2.2 mm

工作频率:  55 GHz

类型:  RF Silicon Germanium

宽度:  1.35 mm

商标:  NXP Semiconductors

Pd-功率耗散:  197 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  934064614115

单位重量:  6.665 mg