型号: BFU730F,115
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
直流集电极/Base Gain hfe Min: 205
集电极—发射极最大电压 VCEO: 2.8 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1 V
集电极连续电流: 5 mA
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT343F-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极—基极电压 VCBO: 10 V
直流电流增益 hFE 最大值: 555
高度: 0.75 mm
长度: 2.2 mm
工作频率: 55 GHz
类型: RF Silicon Germanium
宽度: 1.35 mm
商标: NXP Semiconductors
Pd-功率耗散: 197 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: 934064614115
单位重量: 6.665 mg
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