型号: BG5120K
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 20 mA
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 6 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
商标: Infineon Technologies
通道模式: Depletion
配置: Dual Semi-Biased
正向跨导 - 最小值: 0.033 S
最小工作温度: - 55 C
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：范杰锋
电话：15014119996
Q Q:
联系人：张先生，张小姐，陈先生，李小姐
Q Q:
联系人：罗生
Q Q:
