型号:  BLF147.112

功能描述:   RF/MW BULK TNS-RFPR SOT-123

制造商:  nxp semiconductors

标准包装：  20

晶体管类型：  N-Channel

频率 ：  108MHz

增益 ：  14dB

电压 - Test：  28V

当前 Rating：  25A

噪声系数 ：  -

当前 - Test：  -

Power - 输出功率 ：  150W

电压 - 额定：  65V

包/盒 ：  SOT-121B

供应商器件封装：  CRFM4

包装材料 ：  Tray

动态目录：  RF MOSFETs###/catalog/en/partgroup/rf-mosfets/17269?mpart=BLF147,112&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  4CRFM

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  65 V

最大连续漏极电流：  25 A

RDS -于：  150@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

工作温度：  -65 to 200 °C

安装：  Screw

标准包装：  Rail / Tube

包装宽度：  12.86(Max)

PCB：  4

最大功率耗散：  220000

最大漏源电压：  65

最大频率：  108

欧盟RoHS指令：  Compliant

Typical Drain Efficiency ：  40

最大漏源电阻：  150@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -65

典型功率增益：  19

供应商封装形式：  CRFM

标准包装名称：  CRFM

最高工作温度：  200

输出功率：  150

渠道类型：  N

典型输入电容@ VDS：  450@28V

包装长度：  24.9(Max)

引脚数：  4

包装高度：  7.27(Max)

最大连续漏极电流：  25

封装：  Blister

晶体管类型：  N-Channel

电压 - 额定：  65V

供应商设备封装：  CRFM4

电压 - 测试：  28V

频率：  108MHz

增益：  14dB

封装/外壳：  SOT-121B

额定电流：  25A

功率 - 输出：  150W

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

类别：  RF MOSFET

配置：  Dual Source, Single

外形尺寸：  24.9 x 12.86 x 7.27mm

身高：  7.27mm

长度：  24.9mm

最大漏源电阻：  0.15 Ω

最高工作温度：  +200 °C

最大功率耗散：  220 W

最低工作温度：  -65 °C

安装类型：  Screw

包装类型：  CRFM

典型输入电容@ VDS：  450 pF V @ 28

典型功率增益：  19 dB

宽度：  12.86mm

工厂包装数量：  20

产品种类：  Transistors RF MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  25 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  150 mOhms

功率耗散：  220 W

输出功率：  150 W

零件号别名：  BLF147

产品类型：  RF MOSFET Power