型号: BLF1820-90
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BULK TNS-RFP
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 15 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LDMOST-3
最小工作温度: - 65 C
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: BLF1820-90,112
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：黄小姐
Q Q:
联系人：苏月
电话：13312973693
Q Q:
联系人：庄
Q Q:
