型号: BLF1822-10
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体�
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 2.2 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohmss
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 15 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT502B
封装: Bulk
商标: NXP Semiconductors
最小工作温度: - 65 C
联系人：肖瑶，树平
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