型号: BLF4G10-120
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: LDMOST-3
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
最小工作温度: - 65 C
类型: RF Power MOSFET
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