型号: BLF4G10LS-160
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 15 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LDMOST-3
最小工作温度: - 65 C
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: BLF4G10LS-160,112
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王先生
电话：19868748525
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13590279456
Q Q:
联系人：张先生
电话：13714001037
Q Q:
