型号: BLF548
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BULK TNS-RFPR
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 15 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
增益: 11 dB
输出功率: 150 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-262 A2
封装: Bulk
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 500 MHz
Pd-功率耗散: 330 W
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
零件号别名: BLF548,112
联系人：王
电话：13631598171
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：刘子杰
电话：13691898017
Q Q:
联系人：杨文炎
电话：13828847993
Q Q:
联系人：吴晓华
电话：13826505637
Q Q:
