型号: BLF6G20-230PRN
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 230W, 1800-2000MHz
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
商标: NXP Semiconductors
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 165 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT502B
最小工作温度: - 65 C
类型: RF Power MOSFET
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13691930083
Q Q:
联系人：刘心
电话：17673093037
Q Q:
