型号: BLF861
功能描述: Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 5-Pin LDMOST
制造商: NXP Semiconductors
安装： Surface Mount
包装宽度： 10.31
PCB： 5
最大功率耗散： 318000
最大漏源电压： 65
最大频率： 860
欧盟RoHS指令： Compliant
Typical Drain Efficiency ： 40
最大漏源电阻： 170(Typ)@9V
每个芯片的元件数： 2
最低工作温度： -65
典型功率增益： 14
供应商封装形式： LDMOST
标准包装名称： LDMOST
最高工作温度： 200
输出功率： 170(Typ)
渠道类型： N
典型输入电容@ VDS： 84@32V
包装长度： 34.16
引脚数： 5
通道模式： Enhancement
包装高度： 5.77
最大连续漏极电流： 18
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