型号:  BLF861A.112

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 65V 18A 5-Pin LDMOST Blister

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  20

晶体管类型：  LDMOS

频率 ：  860MHz

增益 ：  14.5dB

电压 - 测试：  32V

额定电流 ：  18A

噪声系数 ：  -

电流 - 测试：  1A

Power - 输出功率 ：  150W

电压 - 额定：  65V

包/盒 ：  SOT-540A

供应商器件封装：  LDMOST

包装材料 ：  Tray

包装：  5LDMOST

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  65 V

最大连续漏极电流：  18 A

RDS -于：  160(Typ) mOhm

最大门源电压：  ±15 V

工作温度：  -65 to 200 °C

安装：  Screw

标准包装：  Rail / Tube

包装宽度：  10.91(Max)

PCB：  5

最大功率耗散：  318000

最大漏源电压：  65

最大频率：  860

欧盟RoHS指令：  Compliant

Typical Drain Efficiency ：  50

最大漏源电阻：  160(Typ)@14.5V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -65

典型功率增益：  14.5

供应商封装形式：  LDMOST

标准包装名称：  LDMOST

最高工作温度：  200

输出功率：  150

渠道类型：  N

典型输入电容@ VDS：  82@32V

包装长度：  34.16(Max)

引脚数：  5

包装高度：  5.77(Max)

最大连续漏极电流：  18

封装：  Blister

晶体管类型：  LDMOS

电压 - 额定：  65V

供应商设备封装：  LDMOST

电压 - 测试：  32V

频率：  860MHz

增益：  14.5dB

封装/外壳：  SOT-540A

电流 - 测试：  1A

额定电流：  18A

功率 - 输出：  150W

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  20

产品种类：  Transistors RF MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Dual

源极击穿电压：  15 V

连续漏极电流：  18 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  160 mOhms

功率耗散：  318 W

输出功率：  150 W

最低工作温度：  - 65 C

零件号别名：  BLF861A

产品类型：  RF MOSFET Power

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  65 V

RoHS：  RoHS Compliant