型号:  BLF878.112

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 89V 5-Pin LDMOST Bulk

制造商:  nxp semiconductors

标准包装：  20

晶体管类型：  LDMOS

频率 ：  860MHz

增益 ：  18dB

电压 - Test：  40V

当前 Rating：  1.4µA

噪声系数 ：  -

当前 - Test：  1.4A

Power - 输出功率 ：  300W

电压 - 额定：  89V

包/盒 ：  SOT-979A

供应商器件封装：  CDFM2

包装材料 ：  Tube

动态目录：  RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17295?mpart=BLF878,112&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  5LDMOST

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  89 V

RDS -于：  110(Typ)@6.15V mOhm

最大门源电压：  13 V

工作温度：  -65 to 200 °C

安装：  Screw

标准包装：  Rail / Tube

包装宽度：  10.29(Max)

PCB：  5

最大漏源电压：  89

最大频率：  860

欧盟RoHS指令：  Compliant

Typical Drain Efficiency ：  60

最大漏源电阻：  110(Typ)@6.15V

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -65

典型功率增益：  21

供应商封装形式：  LDMOST

标准包装名称：  LDMOST

最高工作温度：  200

输出功率：  300(Typ)

渠道类型：  N

典型输入电容@ VDS：  190@40V

包装长度：  41.28(Max)

引脚数：  5

包装高度：  5.77(Max)

封装：  Bulk

晶体管类型：  LDMOS

电压 - 额定：  89V

供应商设备封装：  CDFM2

电压 - 测试：  40V

频率：  860MHz

增益：  18dB

封装/外壳：  SOT-979A

电流 - 测试：  1.4A

额定电流：  1.4µA

功率 - 输出：  300W

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  20

产品种类：  Transistors RF MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  13 V

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  110 mOhms

最低工作温度：  - 65 C

零件号别名：  BLF878

配置：  Dual Common Source

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  89 V

RoHS：  RoHS Compliant