型号: BLS6G2731-6G
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.26 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT975C
封装: Bulk
最小工作温度: - 65 C
类型: RF Power MOSFET
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：15724096779
Q Q:
联系人：杨冬
电话：18515453727
Q Q:
联系人：庄小姐
Q Q:
