型号: BLS6G2731S-120
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 33 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 135 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT502B
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: BLS6G2731S-120,112
联系人:Alien
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:赵小姐
电话:13049883113
联系人:颜小姐
电话:13380394549
联系人:连
电话:18922805453
联系人:李熙强
电话:15914646839
联系人:李先生
电话:13128990370
联系人:陈生
电话:13713818425
Q Q: