型号: BLS6G3135-120
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 7.2 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
增益: 11 dB
输出功率: 120 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-502A
封装: Tray
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 3.1 GHz to 3.5 GHz
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
零件号别名: BLS6G3135-120,112
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