型号: BQ4011MA-200
功能描述:
制造商: Texas Instruments
存储器类型： 非易失
存储器格式： NVSRAM
技术： NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量： 256Kb （32K x 8）
写周期时间 - 字，页： 200ns
访问时间： 200ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 4.75 V ~ 5.5 V
工作温度： 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型： 通孔
封装/外壳： 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
供应商器件封装： 28-DIP 模块（18.42x37.72）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林炜东，林俊源
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