型号:  BS107P

功能描述:  MOSFET N-Chnl 200V

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-92-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  120 mA

Rds On-漏源导通电阻:  30 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Bulk

高度:  4.01 mm

长度:  4.77 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  BS107

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  FET

宽度:  2.41 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  100 mS

下降时间:  8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  16 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

单位重量:  250 mg