型号: BS108/01,126
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带盒（TB）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 300mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5 欧姆 @ 100mA，2.8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 120pF @ 25V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装： TO-92-3
其它名称： 934009850126BS108/01 AMOBS108/01 AMO-ND
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：宋建华
电话：18688959485
Q Q:
联系人：冯生
电话：15919724878
Q Q:
联系人：刘子杰
电话：13691898017
Q Q:
