型号: BS108/01,126
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装: 2,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带盒(TB)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 300mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 5 欧姆 @ 100mA,2.8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 120pF @ 25V
功率 - 最大值: 1W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商器件封装: TO-92-3
其它名称: 934009850126BS108/01 AMOBS108/01 AMO-ND
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