型号: BS870
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 250 mA
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 5000 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Single
最小工作温度: - 55 C
系列: BS870
典型关闭延迟时间: 5 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
Sunrise Electronic (Hong Kong) Co., Ltd
联系人：彭
Q Q:
联系人：朱先生，黄小姐，寒小姐
电话：13266695626
Q Q:
联系人：陈泽滨
电话：15989719981
Q Q:
