型号: BSB012N03LX3G
功能描述: MOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 39 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WDSON-2
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Dual Source
下降时间: 8.4 ns
最小工作温度: - 40 C
上升时间: 8.6 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 7.9 ns
零件号别名: BSB012N03LX3GXUMA1 SP000597846
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