型号: BSB019N03LX G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 32A（Ta），174A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 92nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 8400pF @ 15V
功率 - 最大值： 89W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-WDSON
供应商器件封装： MG-WDSON-2，CanPAK M?
其它名称： SP000597826
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：刘财路
电话：13410000176
Q Q:
联系人：王辉燕
电话：18926529691
Q Q:
联系人：秦
电话：18888241966
Q Q:
