型号: BSB019N03LXG
功能描述: MOSFET N-Ch 30V 31A CanPAK-3 MX
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 31 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WDSON-2
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Dual Drain Dual Source
下降时间: 6.4 ns
最小工作温度: - 40 C
上升时间: 7.8 ns
工厂包装数量: 5000
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: BSB019N03LXGXT
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