型号: BSB028N06NN3G
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 90 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 108 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WDSON-2
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single Quad Drain Dual Source
下降时间: 6 ns
最小工作温度: - 40 C
上升时间: 9 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: BSB028N06NN3GXT BSB028N06NN3GXUMA1 SP000605956
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