型号: BSB028N06NN3G
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 90 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 108 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WDSON-2
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single Quad Drain Dual Source
下降时间: 6 ns
最小工作温度: - 40 C
上升时间: 9 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: BSB028N06NN3GXT BSB028N06NN3GXUMA1 SP000605956
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：刘庆
电话：18221065881
Q Q:
联系人：尹学
电话：17817281186
Q Q:
联系人：蔡耿洲
电话：13823303203
Q Q:
