型号:  BSB044N08NN3 G

功能描述:  MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  WDSON-2-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  80 V

Id-连续漏极电流:  90 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  73 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  78 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.7 mm

长度:  6.35 mm

系列:  OptiMOS 3

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.05 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  36 S

下降时间:  7 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  26 ns

典型接通延迟时间:  14 ns

零件号别名:  BSB044N08NN3GXUMA1 BSB44N8NN3GXT SP000604542