型号: BSB056N10NN3 G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSB056N10NN3 G
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Ta），83A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 74nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 5500pF @ 50V
功率 - 最大值： 78W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-WDSON
供应商器件封装： MG-WDSON-2，CanPAK M?
其它名称： BSB056N10NN3 G-NDBSB056N10NN3GBSB056N10NN3GXUMA1SP000604540
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